在单晶硅的制备过程中，氧是一种不可避免的轻元素杂质，它主要来源于晶体生长过程中石英增锅的污染。那么
氩气中氧含量高对拉晶有什么影响呢？一般而言，主要是硅片中电化学性能和少数载流子寿命会产生影响。而通过使用
工业氩气含氧量分析仪就可以分析氩气中的氧气浓度含量是否异常，避免氩气中的氧气浓度过高影响硅片的品质。
氩气中氧含量高对拉晶的主要影响如下：
1、
硅片中电化学性能降低
氧在单晶硅中主要以氧团簇、氧沉淀和与空位结合的形式存在。这些氧团簇和氧沉淀会引入诱生缺陷，使得硅片的电学性能受到影响。氧团簇和氧沉淀的形成会导致硅片的电阻率变化，对于N型样品，氧的存在会导致电阻率下降；而对于P型样品，氧的存在会导致电阻率增加。这些变化会影响硅片的径向电阻率的均匀性，使得电阻率热稳定性变差，最终影响到成品率。
2、
少数载流子寿命降低
氧的存在还会对硅中的少数载流子寿命产生影响。氧与硅中的载流子相互作用，可能通过与空位结合形成微缺陷，从而影响载流子的传输和寿命。这对于微电子集成电路和功率半导体器件的性能来说，具有重要的影响。
国家标准《GB/T 10624-1995 高纯氩》中对于高纯氩和高纯氩中氧含量分别要求如下：
1、合格品
氩纯度≥99.999%；
氧含量≤2ppm
2、一等品
氩纯度≥99.9993%；
氧含量≤1ppm
3、优等品
氩纯度≥99.9996%；
氧含量≤1ppm
以赢润集团研发生产的ERUN-QZ9100
在线式微量氧含量分析仪为例，可以用来检测高纯气体或混合气体中的微量氧气浓度含量，由于采用的是进口原装高精度长寿命电化学原理传感器，可以非常快速准确地检测出混合气体中氧气的浓度值，误差小、精度高，反应灵敏，性能稳定可靠，几乎免维护，通电开机即可自动工作，可实现长期无人化自动运行。
氩中微量氧分析仪技术参数：
产品型号：ERUN-QZ9100
检测气体：混合气中微量氧气
检测原理：ECD电化学
量程范围：0-1000ppm，其他量程范围可订制
分 辨 率：0.1ppm
误差精度：≤±1%F.S.
响应时间：T90≤10秒
数据传输：4-20 mA模拟信号、RS232/RS485标准数字信号
工作温度：－10℃ ～ ＋50℃
工作湿度：≤90%RH
工作压力：0.05MPa ～ 0.25MPa
工作电源：220VAC±10%，50Hz±5%；12V，20000 mA超大容量可充放电池
以上就是关于
氩气中氧含量高对拉晶有什么影响的相关介绍，在单晶硅的制备过程中，控制氩气中氧的含量是十分关键的，氧的存在会引入诱生缺陷，导致硅片的电学性能受到影响，同时也会影响硅中的少数载流子寿命。在单晶硅的制备过程中，通过使用
工业氩气含氧量分析仪来监测并控制氩气中氧的含量和均匀性来提高材料的质量和性能，提升硅片的生产品质。
